December 15, 2025
統合型DCリンクおよびパワーモジュール設計によるSiC性能の最大化
シリコンカーバイド（SiC）デバイスは、EVパワートレインや産業用ドライブ分野において採用が拡大するにつれ、システムレベルでのボトルネック—特にスイッチング損失、熱的制約、EMI—は、半導体素子そのものから周辺の受動部品へと移行しています。こうした中で、見過ごされがちでありながら大きな影響を及ぼす制約の一つが、DCリンクコンデンサとパワーモジュールを分離して配置する従来のアーキテクチャです。本ホワイトペーパーでは、NanoLam™コンデンサを先進的なパワーモジュールと緊密に統合し、単一の超低インダクタンス・スイッチングプラットフォームを形成する協調設計アーキテクチャについて、その背景、設計上の考慮事項、および定量的な効果を解説します。
